Надгробие на могиле Н.Н.Шефталя на Хованском кладбище (Центральная терр., уч. 145). Фото 22.06.2013


ШЕФТАЛЬ Николай Наумович (1902 – 1987)

Род. и умер в М.

Кристаллограф, д. г.-м. н. (1953). Ученик А.В.Шубникова. Из семьи инженера. После окончания сред. шк. работал на ряде моск. пр-тий и одноврем. преподавал в шк. В 1928 поступил на физ.-мат. ф-т МУ, в 1932 окончил геол. отд-е МГРИ – ин-та, создан. на базе геол. отд-я МУ и Моск. горной акад. – по специальности «кристаллография и минералогия», в 1935 – аспирантуру там же (рук. – Шубников). С 1932 работал в Заочн. геолого-разведоч. ин-те, где организовал и возглавил каф. кристаллографии и минералогии. В 1935 перешел в Ин-т геохимии, минералогии и кристаллографии им. М.В.Ломоносова АН, в возглавляемый Шубниковым кристаллографич. сектор (с 1937 – Кристаллографич. лаб. АН, с 1944 – Ин-т кристаллографии АН): к. г.-м. н. (1939), инициатор создания и зав. лаб. роста кристаллов (1935–86). В 1964 организовал аналогич. лаб. на геол. ф-те МУ и до 1975 руководил ею. В 1986 вышел на пенсию.

Науч. работы посв. разработке теории роста макроскопич. кристаллов и технологии получения монокристаллов. Показал, что совершен. монокристаллы стремятся к предельно простой форме, соответствующей минимуму поверхностн. и объемн. свободн. энергии; выдвинул и обосновал представление о роли микрокристаллов в образовании массивн. кристаллов; предложил использовать для выращивания совершен. кристаллов резкий перепад температур. Получил монокристаллы сахарозы, разработал и внедрил пром. метод получения однородн. монокристаллов сегнетовой соли, предложил методы выращивания пьезокварца и технологии получения эпитаксильных пленок полупроводников, нашедший широкое применение в отеч. микроэлектронике.

Жил в Старом Толмачевском пер., 3 (1900-е); на Симферопольском бул., 1 (1958–87). Похоронен на Хованском кладб.

Соч.: Структура кристаллов: (Пособие к курсу кристаллографии). [М., 1934]; Вводные главы в общую минералогию: Вып. 1. М., 1935; Первые советские опыты выращивания кварца. [М.], 1955; Процессы реального кристаллообразования. М., 1977 (в соавт.); Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника: (Процессы образования монокристаллических слоев для микроэлектроники). Л., 1986 (в соавт.).

Московская энциклопедия. Том 1: Лица Москвы. Книга 5: У–Я. М.: ОАО «Московские учебники», 2012