Надгробие на могиле Т.Т.Басиева на Ивановском кладбище (Московская обл., Ленинский р-н; уч. 1). Фото 17.09.2016


БАСИЕВ Тасолтан Тазретович (1947 – 2012)

Род. и умер в М.

Специалист в обл. физики твердого тела и нанотехнологий; д. ф.-м. н. (1984), проф. (1991), чл.-корр. АН (2008). В 1972 окончил МЭИ; работал в секторе монокристаллов Физ. ин-та им. П.Н.Лебедева АН (ФИАН); к. ф.-м. н. (1977). В 1982 перешел в осн. на базе ряда лабораторий ФИАНа Ин-т общей физики АН (ИОФАН, с 2002 – им. А.М.Прохорова); с 1984 – зав. лаб. лазерн. спектроскопии твердого тела, с 1999 – зам. дир. Науч. центра лазерн. мат-лов и технологий ИОФАН и одноврем. – науч. рук. Учебно-науч. центра, создан. ИОФАН совм. с Ковровск. гос. технол. акад. им. В.А.Дегтярева (Владимирск. обл.).

Осн. науч. труды в обл. лазерн. спектроскопии твердого тела, физики лазерн. кристаллов и наноматериалов. Разработал технологию получения лазерн. керамики, позволившую создать уник. фторидные наномат-лы, превосходящие мир. аналоги. Развивал физико-хим. методы поиска новых мат-лов для лазеров сред. ИК диапазона и создания новых оптич. монокристаллов для лазеров на вынужд. комбинац. рассеянии света (ВКР). Обнаружил связь между оптич. характеристиками ВКР и строением сложных анионных и катионных групп в кристаллах. На базе новых лазерн. ВКР-кристаллов были созданы ВКР-лазеры в разл. областях спектра с энергией более одного джоуля и пиковой мощностью в десятки мегаватт.

Жил на Домодедовской ул., 22, корп. 1 (1998–2012). Похоронен на Ивановском кладб. (дер. Ямонтово Ленинского р-на Моск. обл.).

Соч.: Компьютерное моделирование процесса миграции некогерентных возбуждений в неупорядоченном ансамбле частиц. (Препринт). М., 1989 (в соавт.); Исследование механизмов двухступенчатой фотоионизации оптических центров. (Препринт). М., 1991 (в соавт.); Технологические Nd-лазеры с пассивной модуляцией добротности кристаллами LiF:F2-. (Препринт). М., 1993 (в соавт.).

Московская энциклопедия. Том 1: Лица Москвы. Книга 6: А–Я. Дополнения. М.: ОАО «Московские учебники», 2014